Что означает 1Rx8 против 2Rx8 для оперативной памяти и совместимы ли они?

1Rx8 означает, что он является модулем одного уровня, а 2Rx8 означает, что он является модулем двойного уровня. Ранг - это блок данных шириной 64 бита без Error Correction Code (ECC), созданный с использованием некоторых или всех микросхем памяти на модуле. В них x8 определяет количество банков в модуле памяти. Чем больше банков, тем меньше микросхем в модуле памяти, тем выше надежность и энергопотребление.

Совместимость, как правило, не является проблемой в большинстве случаев. Но вы должны пройти через руководство производителя материнской платы поддерживаемых модулей ОЗУ просто, чтобы убедиться, что они совместимы или нет.

Переходя к PC3 и PC3L части, PC3 ОЗУ требует рабочего напряжения 1,5 В, в то время как PC3L требует рабочего напряжения 1,35 В. В PC3L ‘L’ означает Низкое напряжение. Таким образом, использование PC3 ОЗУ в слоте PC3L RAM не обеспечит его достаточное напряжение, и он не будет работать. С другой стороны, использование PC3L ОЗУ в слот PC3 RAM может повредить его из-за перенапряжения. Таким образом, ОЗУ PC3 и PC3L не совместимы друг с другом.

Таким образом, короче говоря, 1Rx8 PC3L 12800S и 2Rx8 PC3 12800S ОЗУ несовместимы друг с другом. Но если речь идет только о 1Rx8 и 2Rx8, то они могут быть совместимы друг с другом, но лучше всего ознакомиться со списком совместимых ОЗУ производителя материнской платы.

Эти модули не совместимы друг с другом.

• PC3 является стандартным напряжением (1,5 и nbsp;V) памяти DDR3, в то время как PC3L является DDR3 L низковольтной (1,35 и nbsp;V) памяти. Новые процессоры Intel (с четвертого поколения Haswell) требуют памяти DDR3L; регулярные модули DDR3 не соответствуют спецификации для этих процессоров и может привести к сбою системы:

Ноутбуки не могут полностью включить самотестирование (POST) при использовании с модулем памяти DDR3

Ноутбуки с процессорами Intel (Haswell) четвертого поколения требуют нового типа памяти, известного как DDR3-низкое напряжение или “DDR3L”.

• *

Модернизация: требуется память 1,35 В!

Пожалуйста, обратите внимание, что мы помещаем память 1,35 В в наши G750. Новые процессоры Haswell требуют этого, и использование памяти на 1.5 В может вызвать проблемы по следующим направлениям:

• Перегрев
• Повреждение IMC процессора (из-за увеличенной разницы потенциалов)
• Большее использование батареи, чем наши заявленные значения.

• 1R и 2R ознакомьтесь с количеством ранги памяти * на модуле. Модули двойного ранга (2R) появляются в системе так, как если бы два модуля памяти были вставлены в этот канал памяти, что может привести к проблемам совместимости, если у вас несколько таких модулей на одном канале.

• Модули памяти самой высокой плотности (32 GB и более) предназначены для использования на серверах и в целом не будут работать на потребительских системах, использующих процессоры Intel Core. Потребительские процессоры обычно ограничены двумя-четырьмя рангами на канал, в то время как серверные процессоры часто могут работать с восемью и более рангами; это объясняет, почему многие процессоры Intel Xeon могут принимать чрезвычайно большой объем памяти (768 GB для частей Xeon E5 V3).

Это НЕ означает, что они находятся с одной стороны или с двух сторон…

Ранг памяти в основном представляет собой блок данных, который создается с помощью некоторых или всех микросхем памяти на модуле памяти (ваших палочек). Он должен быть 64 бита данных в ширину (модули с исправленными ошибками: 72 бита). Модуль памяти может содержать одну, две или четыре области данных 64-битной ширины, в зависимости от того, как они спроектированы. Таким образом, “Ranks” = “Количество областей данных 64-битной ширины” .

R1x8 означает, что этот модуль является модулем одного ранга, другой модуль, R2x4, является модулем двойного ранга.

Некоторые чипсеты Intel ограничивают количество рангов, которые можно ставить в компьютер. Для вашей рабочей станции Dell Precision Workstation P670 она, вероятно, ограничена 8 рангами, поэтому с палочками, которые у вас есть, вы еще не максимизировали (2x2 + 2x1 = 6 рангов).

Одноранговые чипы обычно дороже из-за того, как они построены. Кроме того, они позволяют записать больше памяти из-за ограничения ранга вашего набора микросхем.

PC3L, как правило, может заменить PC3, но не наоборот. PC3L является DDR3 оперативной памяти спецификации для работы на 1.35v, но обычно также хорошо на 1.5v. ОЗУ PC3 должно работать на 1.5v, но может не работать на 1.35v.

. Поэтому, если ваша система поставляется с PC3L, то она, вероятно, требует этого, так что не пытайтесь заменить ее на PC3. Но если ваша система поставляется с PC3, то вы, вероятно, можете заменить ее на PC3 или PC3L.

Обычно вы можете смешивать 1Rx8 и 2Rx8, а также, хотя смешивание различных видов оперативной памяти иногда предотвращает чередование (т.е. может быть немного медленнее).

Я действительно рекомендую запустить тест памяти после обновления RAM, однако. Диагностика памяти Windows, вероятно, достаточна, хотя MemTest86 или MemTest86+ лучше.

Давайте все проясним насчет DDR RAM. Пожалуйста, помогите мне закончить всю информацию о DDR3 RAM. И, пожалуйста, поправьте меня, если я ошибаюсь.

1. Полное имя DDR - DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory). Это системная память ПК.

2. Для настольных ПК DDR RAM стандарт - DIMM, для ноутбуков - SO-DIMM.

3. Имеются стандарты оперативной памяти DDR, DDR2, DDR3 и DDR4. Они не совместимы друг с другом и не могут быть смешаны.

4. В наши дни (2019 год) более широко используются модули оперативной памяти DDR3 и DDR4. DDR2 встречается редко. DDR почти никогда не встречается в рабочих компьютерах. DDR2 помечен как PC2 на физической карте памяти/модуле/ печатной плате. DDR3 маркируется PC3 или PC3L (L - для низкого напряжения). DDR4 помечен как PC4.

5. DDR - ПК работает при напряжении 2,5В. DDR2 - PC2 работает с напряжением 1,8 В. DDR3 - PC3 работает с напряжением 1,5 В. DDR3 - PC3L работает с напряжением 1,35 В. Имеются модули оперативной памяти PC3, которые работают на обоих напряжениях. DDR4 - PC4 работает на напряжение 1,2В. Падение напряжения с годами связано с экономией электроэнергии. Любая потребляемая мощность цифрового чипа прямо пропорциональна квадрату частоты и напряжения. Q1: Что произойдет, если пользователь будет использовать DDR3 на 1,5 В в 1,35 В системе? Q2: Что произойдет, если пользователь будет использовать 1,35 В DDR3 в 1,5 В системе?

6. Маркировка 1R означает 1 ранг памяти в одном модуле/флешке оперативной памяти. Ранг - это набор микросхем памяти, работающих как одна группа. Маркировка 2R означает 2 ранга памяти в одном модуле/флешке оперативной памяти, 4R - 4 ранга. Все ряды в одном модуле всегда параллельно подключены к одному и тому же каналу/шине памяти. Одновременно система может получить доступ только к одному рангу/набору памяти. Существует ограничение на то, сколько рядов памяти можно подключить к одному каналу памяти (зависит от системы ПК). Система будет видеть модуль памяти 2R так, как если бы он был 2 модулями, подключенными в отдельных слотах к одному и тому же каналу памяти. Модуль памяти 4R - как если бы было 4 подключенных модуля. Q1: Что произойдет, если пользователь превысит лимит ранга памяти системы? Q2: Будет ли PC работать быстрее с модулем памяти 1R, если установить модуль памяти 2R или 4R? Система может получить доступ ко всей памяти модуля DDR одновременно, а не к 2 или 4 часам…

7. x8 (для примера PC3 1Rx8) означает, что физические микросхемы памяти на модуле DDR/ печатной плате содержат 8-битную длину памяти. Память DDR имеет доступ к данным шириной 64 бита (72 бита с кодом ECC - код коррекции ошибок). x8 Модуль DDR должен содержать 8 физических микросхем оперативной памяти, спаянных в последовательном порядке на 1 ранг (чтобы стать 64-битной памятью шириной). 9 физических микросхем для DDR с кодом ECC. Соответственно 2 ранга модуля DDR должны содержать 16 микросхем ОЗУ (18 с ECC), 4 ранга модуля DDR должны содержать 32 микросхемы ОЗУ (36 с ECC). Существуют также модули DDR x4 и x16. Их модули DDR должны вмещать 16 и 4 физических микросхемы ОЗУ, запаянные на 1 ранг соответственно (чтобы стать 64-битной памятью). Q1: Влияет ли количество микросхем ОЗУ на модуле на скорость работы памяти, надежность, цену, физический размер модуля?

8. Число в конце разметки показывает скорость оперативной памяти DDR в Мб/с (Мегабайт в секунду).

9. Рабочая частота оперативной памяти DDR может быть рассчитана исходя из ее скорости. ОЗУ DDR осуществляет две передачи данных по одному циклу/часам (на восходящем и нисходящем фронтах тактового сигнала). Каждая передача имеет ширину 64 бита. Так, например, для примера “PC3 2Rx8 8500 MBps / 8 "байт за передачу” / 2 “передачи за часы” = ~ 531 MHz (Mega Herz).

Для примера “PC3 2Rx8 8500 no ECC” означает: 1. память DDR3 1,5V (может быть двойным напряжением оперативной памяти). 2. 2 ряда памяти на модуль/флешку. 3. 8 физических микросхем памяти на ранг, 16 микросхем в общей сложности припаянных на модуль ОЗУ. 4. Скорость ОЗУ DDR3 составляет 8500 Мб/с. ОЗУ работает на частоте шины 531 МГц. 5. Модуль оперативной памяти DDR3 работает без функции коррекции ошибок. 6. Система видит этот модуль DDR3 как два модуля на одном канале памяти.

Если вам нужно что-то добавить, пожалуйста, добавьте это как комментарий. Это будет организованная информация об оперативной памяти DDR в одном месте.

1R означает, что все чипы с одной стороны, 2R означает, что они имеют более высокую плотность с обеих сторон. Некоторые платы не будут использовать высокую плотность с микросхемами RAM низкой плотности или наоборот. Те, которые построены на ATi чипсет являются одними. Другие платы в порядке с этим, вы будете лучше всего проверить материнскую плату документов.

В общем, лучшая производительность достигается за счет наличия идентичных чипов. Тот же потенциал, то же самое все.